蝕刻Etcher設(shè)備-晶圓

產(chǎn)品時間：2023-07-01 09:33:57

簡要描述：

目的：進(jìn)行晶圓蝕刻和清潔工藝適用：6、8、12寸晶圓UPH：38PCS（雙腔，加工時間180秒）腔體類型：單晶片伯努利旋轉(zhuǎn)加工腔體Load/Unload：open cassette or FoupCHUCK：伯努利和邊緣夾持旋轉(zhuǎn)卡盤設(shè)備控制：觸控式IPC+PLC加工能力：均勻性＜5%100級室內(nèi)環(huán)境晶片上沒有水印痕跡Wafer背邊DI沖洗功能Thin Wafer 破損率 ＜1000PPM